Haitao YE
,
Olivier GAUDIN
,
Richard B.JACKMAN
,
null
,
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,
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材料科学技术（英）
The first measurement of impedance on free-standing diamond films from 0.1 Hz to 10 MHz up to 300℃ were reported. A wide range of chemical vapour deposition (CVD) materials were investigated, but here we concentrate on `black' diamond grown by microwave plasma enhanced CVD (MWPECVD). The Cole-Cole (Z' via Z'') plots are well fitted to a RC parallel circuit model and the equivalent resistance and capacitance for the diamond films have been estimated using the Zview curve fitting. The results show only one single semicircle response at each temperature measured. It was found that the resistance decreases from 62 MΩ at room temperature to 4 kΩ at 300℃, with an activation energy around 0.51 eV. The equivalent capacitance is maintained at the level of 100 pF up to 300℃ suggesting that the diamond grain boundaries are dominating the conduction. At 400℃, the impedance at low frequencies shows a linear tail, which can be explained that the AC polarization of diamond/Au interface occurs.
关键词:
Black diamond
,
diamond
,
Impedance
,
spectroscopy
,
Act
王美娟
,
王日初
,
彭超群
,
冯艳
,
张纯
中国有色金属学报
采用循环伏安(CV)和恒电位阶跃(CA)等电化学技术,研究金刚石粉体对Ni电结晶形核/生长的影响,并通过扫描电镜观察复合镀层的表面形貌.结果表明:在Ni?金刚石复合镀液中,金刚石粉体吸附在阴极表面,对阴极产生屏蔽作用,Ni2+的有效放电面积减小,阻碍电荷转移,使复合镀液在循环伏安曲线中的还原电流降低;金刚石粉体缩短了Ni电结晶的形核驰豫时间(tmax),形核过电位正移,促进Ni电结晶形核;电镀时间越长,金刚石复合量越小,镀层表面越粗糙;Ni?金刚石复合镀液和纯Ni镀液的Ni电结晶形核可能为多晶沉积.
关键词:
金刚石
,
复合电镀
,
Ni
,
电结晶
,
形核
,
生长
,
多晶沉积
刘其军
,
刘正堂
,
闫锋
电镀与涂饰
为了提高金刚石的红外透过率,根据光干涉膜基础理论对薄膜增透进行了设计,获得了增透膜系的相关参数,并采用非规整设计中的彻底搜索法对所设计的膜系进行了增透效果分析.结果表明,在金刚石衬底上单面和双面镀Y_2O_3膜系后,透过率有明显提高.Y_2O_3膜系是性能优异的金刚石红外光学材料增透膜.
关键词:
金刚石
,
氧化钇
,
薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
增透
,
红外透过率
,
设计
唐卫平
,
赵晓洋
绝缘材料
以不饱和聚酯改性环氧树脂为基体，采用硅烷偶联剂表面改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉为填料分别制备高导热绝缘漆，分析3种填料对绝缘漆的防沉淀性、导热系数、击穿电压和粘度的影响，采用3种改性填料复合制备了一种高导热绝缘漆，并在低压电机的整机上进行应用试验。结果表明：加入未改性填料的绝缘漆易产生沉淀现象，而加入硅烷偶联剂表面改性填料的绝缘漆储存稳定性好，不易沉淀；添加改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉填料后的绝缘漆，其导热系数随微粉含量的增加均有所提高、电气强度随微粉含量的增加而降低、粘度随微粉含量的增加而增大；3种改性填料复合使用制备的高导热绝缘漆导热系数可达0.432 W/(m·K)，粘度69 s，电气强度23.4 MV/m。电机温升同比下降7 K，电机效率提高0.97%。
关键词:
高导热
,
绝缘漆
,
硅烷偶联剂
,
金刚石
,
碳化硅
,
氧化铝
,
导热系数
林晓棋
,
满卫东
,
张玮
,
吕继磊
,
江南
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.009
单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料.随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高.目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200 μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密加工、光学元器件、半导体、探测器等高技术领域的应用提供了有力的支撑.本文主要综述了进入二十一世纪以来,MPCVD单晶金刚石的研究进展,并对其应用作简单的介绍.
关键词:
MPCVD
,
金刚石
,
单晶
,
lift-off
,
马赛克
刘剑红
,
陈美华
,
吴改
,
宫旎娜
人工晶体学报
分别选用辽宁瓦房店原生矿产出金刚石、湖南砂矿产出金刚石、CVD合成金刚石、高温高压合成金刚石各1颗,采用红外光谱、高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和正交偏光显微观察的分析方法,对其晶体质量进行了研究.通过比较金刚石1332.5 cm-拉曼本征峰的实际位移与理论位移,四颗金刚石均存在一定的内应力,高温高压合成金刚石的内应力小于其它三颗金刚石;金刚石拉曼本征峰的半高宽比对表明,四颗金刚石均存在较多晶格缺陷,其中湖南砂矿产出金刚石缺陷明显;采用双轴晶ω扫描方式测试了四颗金刚石{004}面的摇摆曲线,并估算其晶面族的晶面间距,结果显示高温高压合成金刚石{004}面的晶面间距大于其它三颗金刚石,可能是因孤氮所致;由金刚石摇摆曲线半高宽计算出内部平均位错密度值表明,高温高压合成金刚石最低,而瓦房店产出的金刚石内部平均位错密度最大,且含有亚晶界,这一结果与其异常双折射现象一致.
关键词:
金刚石
,
晶体质量
,
摇摆曲线
,
拉曼光谱
,
位错密度
杨伟锋
,
申文浩
,
童国庆
,
仲洪海
,
蒋阳
电镀与涂饰
以 KBH4为还原剂、CuSO4为氧化剂，对金刚石颗粒进行化学镀铜。研究了pH、亚铁氰化钾含量、甲醇以及镀覆时间对镀液稳定性和化学镀铜沉积速率的影响。利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、能谱仪表征了镀铜金刚石颗粒的成分、表面形貌和晶粒大小。结果表明，采用硼氢化钾体系能够在金刚石颗粒表面镀覆晶粒细小(约35 nm)且较薄(约210 nm)的铜层。pH对镀液稳定性的影响较大：随着pH的升高，镀液稳定性显著增强；但pH过高会降低沉积速率，且不利于镀层增厚。亚铁氰化钾具有整平铜层和细化晶粒的作用，而甲醇能抑制副反应，提高沉积速率，两者联用能够保证镀液稳定性和镀层表面质量。
关键词:
金刚石
,
化学镀铜
,
硼氢化钾
,
复合粉体
,
表面形貌
电镀与涂饰
介绍了一种容积约为200 mL的微型密闭滚筒的设计,其主要包括以下部件:丙烯酸管(长60 mm、外经76 mm、壁厚3 mm)及两侧圆盘,不锈钢中轴,不锈钢阴极棒、镍阳极盘,特富龙套筒、螺帽和滑轮.采用该滚筒对2 g化学镀镍后的人造金刚石颗粒(粒径为100～250μm)进行滚镀镍.化学镀镍前,人造金刚石颗粒按如下步骤前处理:先用含1％氢氟酸的10％硝酸溶液处理5 min,然后采用含1o g/L氯化亚锡和40 mL/L盐酸的溶液敏化120 s,再用含0.5 g/L氯化钯和10 mL/L盐酸的溶液活化120 s.化学镀镍的溶液组成及工艺条件如下:硫酸镍25 g/L,柠檬酸钠30g/L,次磷酸钠25 g/L,硝酸铅1 mg/L,温度85℃,pH 4.5,连续缓慢搅拌,时间10 min.滚镀采用瓦特镀镍液,在转速12 r/min下先后用30 mA和50mA电流各镀10 min.经上述处理后,人造金刚石颗粒被镍镀层完全覆盖,可用于制造镶刃工具.
关键词:
金刚石
,
镍
,
化学镀
,
滚镀
,
镶刃工具
周升国
,
王立平
,
贾晓鹏
功能材料
在配备有高精密化控制系统SPD6×1670T型国产六面顶压机上,采用Fe_(80)Ni_(20)粉末触媒和高纯石墨开展粗颗粒金刚石单晶的生长特征研究.在粉末触媒技术合成金刚石的基础上,引入旁热式组装,以及采用优选粒度的触媒,特别是通过优化合成工艺严格地控制了合成腔体内晶体的成核量及生长速度.最终,在高温高压条件下(约5.4GPa、1435℃)成功合成出尺寸达到0.95mm(18/20目)的优质的粗颗粒金刚石单晶,分析了粗颗粒金刚石的生长特征和晶体缺陷,期待研究的结果有助于我国高品级粗颗粒金刚石的发展.
关键词:
金刚石
,
粗颗粒
,
18/20目
,
高温高压
